니시자와 준이치

1.1. 출생 및 유년기

니시자와 준이치는 1926년 9월 12일 미야기현 센다이시에서 도호쿠 제국대학 교수였던 니시자와 교스케의 둘째 아들이자 장남으로 태어났다. 그의 남동생인 니시자와 다이지 또한 도호쿠 대학 명예교수를 지낸 금속공학자이다. 어린 시절부터 그는 "1 더하기 1은 왜 2가 되는가?"와 같은 근본적인 질문을 끊임없이 던지며 사물의 본질을 파고드는 남다른 호기심을 보였다. 예를 들어, 사과 1개와 귤 1개를 더하면 2개가 된다는 일반적인 답변에 대해, 그는 사과와 귤은 엄연히 다른 물체이므로 함께 더할 수 없다고 생각했다. 초등학생 때부터 그림 그리는 것을 취미로 삼아 센다이 제2중학교 재학 중에는 회화부에 입부하기도 했다. 14세부터 24세 사이에 121점의 수채화와 펜화를 남겼으나, 이후 연구에 몰두하면서 더 이상 그림을 그릴 여유가 없었다.

1.2. 학력

니시자와는 1945년 4월, 내신만으로 도호쿠 제국대학 공학부 전기공학과에 입학했다. 본래 그는 이학부에서 원자핵 연구나 수학 기초론을 전공하고 싶었으나, 아버지의 반대로 뜻을 이루지 못했다. 졸업 연구를 위해 연구실을 선택할 때, 아버지 교스케 교수는 전기공학과 교수인 누카야마 헤이이치에게 조언을 구했고, 누카야마 교수는 와타나베 야스시 교수의 연구실을 추천했다. 니시자와는 이 조언을 따랐고, 이는 그가 반도체 고체 소자 연구의 길로 들어서는 계기가 되었다. 그는 와타나베 야스시 교수를 사사했는데, 와타나베 교수는 당시 일본 국내 전자공학 연구의 선도적인 인물로, 미군 관계자와의 교류를 통해 미국의 반도체 연구 정보와 벨 연구소의 점 접촉형 트랜지스터 발명 소식을 일본에서 가장 먼저 접할 수 있었다. 니시자와가 연구자로서 첫발을 내디딘 시기는 와타나베 교수가 반도체 연구를 시작한 시기와 일치했다. 그는 1948년에 학사 학위를, 1953년에는 도호쿠 대학 대학원 특별 연구생 과정을 수료했으며, 1960년에 동 대학에서 공학 박사 학위를 취득했다.

1.3. 초기 경력 및 연구

1953년 4월, 니시자와는 도호쿠 대학 전기통신연구소의 조수로 임용되면서 본격적인 연구 활동을 시작했다. 1950년, 그는 자신만의 독자적인 pin 접합 구조를 고안하여 PIN 다이오드, 정적 유도 트랜지스터, pnip 트랜지스터 등의 반도체 소자를 발명했다. 또한 반도체 공정의 핵심 기술인 이온 주입법도 이때 개발했다. 새로운 학설을 발표한 니시자와는 당시 학계에서 정설과 다르다는 이유로 비판에 직면하기도 했다. 이에 와타나베 교수는 니시자와가 작성한 논문들을 자신이 보관하며 대외 발표를 잠시 유보하는 등 그를 보호했다. 대학원 특별 연구생 과정을 마친 후, 그는 도호쿠 대학 전기통신연구소에 정식으로 임용되어 정년 퇴임할 때까지 연구 개발과 교육에 전념했다. 1961년에는 니시자와와 와타나베 등이 보유한 pin 다이오드 등의 특허권을 바탕으로 재단법인 반도체 연구 진흥회를 설립했으며, 산업계의 기부를 받아 1963년에는 반도체 연구소를 설립하여 대학 외부에서도 연구를 주도했다.

2.1. 반도체 소자 발명

니시자와는 반도체 전자공학 분야에서 독자적인 '반도체에서 절연체로의 고온 전자 주입 이론'을 고안하고, 이를 바탕으로 pn 접합 사이에 절연체(i: insulator) 층을 삽입한 pin 구조의 전자 소자들을 개발했다.

• PIN 다이오드 (1950년): pn 접합 사이에 고저항의 진성(intrinsic) 반도체 층을 삽입한 다이오드로, 고주파 스위칭, 고전압 정류, 광 검출기 등에 활용된다. 특히 그가 발명한 PIN 포토다이오드는 1950년에 개발되어 광 통신 기술의 핵심 부품이 되었다.
• 정적 유도 트랜지스터 (SIT, 1950년): 전계 효과 트랜지스터(FET)의 일종으로, 채널을 통해 흐르는 전류를 게이트 전압으로 제어하는 방식이다. 고주파 특성과 고전력 특성이 뛰어나 고속 스위칭 및 증폭에 사용된다.
• pnip 트랜지스터 (1950년): pn 접합 사이에 진성 반도체 층을 삽입한 트랜지스터로, 고전압 및 고주파 특성을 개선한 소자이다.
• 전자 사태 전류 증폭 트랜지스터 (1951년): 반도체 내에서 전자가 급증하는 '전자 사태' 현상을 이용한 증폭 트랜지스터이다.
• 아발란셰 포토다이오드 (APD, 1952년): 광 신호를 전기 신호로 변환하면서 내부적으로 신호를 증폭하는 광 검출기로, 미약한 광 신호 감지에 매우 효과적이다.
• 정적 유도 사이리스터 (SITh, 1971년): 고전력 스위칭 소자로, 대전류 및 고전압 제어에 사용되며 산업용 전력 제어 장치에 널리 활용된다.
• MOSSIT (1971년): 금속-산화물-반도체(MOS) 구조와 정적 유도 트랜지스터의 특성을 결합한 소자이다.
• 탄넷 다이오드 (1958년): 터널링 효과를 이용한 다이오드로, 고주파 발진 및 증폭에 사용된다.
• 가변 용량 다이오드 (1959년): 전압에 따라 정전 용량이 변하는 다이오드로, 주파수 변조 및 튜닝 회로에 사용된다.
• 광 사이리스터 (1984년): 빛을 통해 스위칭 동작을 제어하는 사이리스터이다.

2.2. 광 통신 기술 개발

니시자와는 광 통신의 세 가지 핵심 요소인 발광 소자, 전송로, 수광 소자를 모두 개발하는 데 기여했다.

• 반도체 광학 메이저 제안 (1957년): 아더 숄로와 찰스 타운스가 광학 메이저에 대한 첫 논문을 발표하기 1년 전인 1957년에 이미 반도체 레이저의 개념을 제안하고 개발에 착수했다. 이는 후에 광 통신 및 레이저 디스크의 핵심 기술로 발전했다.
• 광섬유 통신 제안 (1963년): 도호쿠 대학에서 근무하던 1963년에 광섬유를 이용한 광 통신의 개념을 제안했다. 당시 유리(유전체)를 통해 광파를 전송하는 아이디어는 학계의 권위자들로부터 비판을 받기도 했으나, 이는 현대 광 통신 기술의 초석이 되었다.
• 집속형 광섬유 (GI형 광섬유, 1964년): 반도체 레이저에서 나오는 빛을 전송하는 채널로서 굴절률 분포형 광섬유를 개발하고 1964년에 특허를 출원했다. 이 광섬유는 빛의 손실을 줄이고 장거리 전송을 가능하게 하여 광 통신 실용화에 기여했다.
• 포토커플러 (1960년): 빛을 이용하여 전기 신호를 전달하는 소자로, 전기적 절연이 필요한 회로에서 신호 전달에 사용된다.
• 초고속 광대역 광 변조기 및 반도체 라만 레이저 등도 개발하여 광 통신 기술 발전에 기여했다.

2.3. 반도체 공정 기술

니시자와는 반도체 제조 공정에서도 여러 독창적인 발명과 기여를 했다.

• 이온 주입법 (1950년): 반도체에 불순물을 정밀하게 주입하여 전기적 특성을 조절하는 핵심 기술이다.
• 화학양론적 조성 제어법 (1951년, 1973년): 반도체 재료의 화학적 조성을 정밀하게 제어하여 고품질 결정을 성장시키는 방법이다.
• 에피택셜 성장법 (1954년, 1963년, 1971년, 1972년, 1984년): 반도체 기판 위에 단결정 박막을 성장시키는 기술로, 다양한 변형된 방법을 개발했다.
  • 일렉트로 에피택시 (1954년): 전기를 이용하여 에피택셜 성장을 제어하는 방법.
  • 온도차법에 의한 실리콘 에피택셜 성장 (1963년): 온도 차이를 이용하여 실리콘 박막을 성장시키는 방법.
  • GaAs(갈륨비소)의 증기압 액상 성장법 (1971년) 및 증기압 제어 온도차 액상 성장법 (1972년): 갈륨비소와 같은 화합물 반도체 성장에 특화된 방법.
  • 광 여기 에피택셜 성장법 (1984년) 및 광 여기 분자층 에피택셜 성장법 (PMLE, 1984년): 빛을 이용하여 저온에서 고품질 박막을 성장시키는 혁신적인 기술.
• GaAs 완전 결정 성장법 및 화합물 결정의 분자층 에피택셜 성장 및 도핑 기술을 개발하여 고품질 화합물 반도체 제조에 기여했다.
• 극박 금속 분자층 증착 및 광 여기 공정을 이용한 원자층 단위의 GaAs 에칭 기술 등 미세 공정 기술도 개발했다.

2.4. 기타 발명 및 연구

니시자와는 위에 언급된 주요 분야 외에도 다양한 혁신적인 발명과 연구를 수행했다.

• 반도체 메이저 (1955년): 고체 상태의 물질을 이용한 마이크로파 증폭기로, 레이저의 전신이 되는 기술이다.
• 반도체 인덕턴스 (1957년): 반도체 소자를 이용하여 인덕터의 기능을 구현하는 기술이다.
• 테라헤르츠파 발생 제안 (1963년): 분자 진동 및 격자 진동(포논)을 이용한 테라헤르츠파 발생 원리를 제안했다. 이는 후에 테라헤르츠파를 이용한 암 진단 및 치료법 제안(2000년)으로 이어졌다.
• 고휘도 발광 다이오드 (1976년): 기존의 발광 다이오드보다 훨씬 밝은 적색(GaAlAs)과 녹색(GaP) 발광 다이오드를 개발하여 디스플레이 및 조명 기술 발전에 기여했다.
• 밀리미터파 다중 소자 발진기 및 밀리미터파 이미징 어레이 연구를 통해 고주파 통신 및 이미징 분야에도 기여했다.
• 바리스틱 트랜지스터 (1973년): 전자가 거의 충돌 없이 고속으로 이동하는 현상을 이용한 트랜지스터이다.

2.5. 특허 및 지적 재산

니시자와 준이치는 1,000개가 넘는 특허를 자신의 이름으로 등록하며 세계에서 가장 많은 반도체 관련 특허를 보유한 인물 중 한 명으로 알려져 있다. 그의 방대한 특허는 반도체 산업의 발전에 지대한 영향을 미쳤다. 그는 변리사에게 의뢰하지 않고 직접 특허 출원 서류를 작성하는 경우가 많았다. 이 때문에 광섬유 특허의 경우 서류 미비로 특허청에서 반려되기도 했으며, 어렵게 출원 공고가 나자 이의 신청을 받아 거절 사정으로 이어졌다. 특허청과의 오랜 법적 다툼 끝에 결국 기한 만료로 특허를 잃는 아픔을 겪기도 했다.

그는 일본 기업들이 일본인 연구자의 업적을 가볍게 여기는 것에 대해 강한 불만을 표출했다. 자신의 PIN 다이오드 특허의 경우, 미국 제너럴 일렉트릭(GE)이 미국에서 특허를 보유하고 있었음에도 불구하고 니시자와는 GE보다 먼저 일본에서 특허를 출원하여 성립시켰다. 그러나 일본 기업들은 특허 조사를 제대로 하지 않고 GE에 특허료를 지불했으며, 니시자와의 특허가 유효하다는 사실이 알려진 후에도 그에게는 거의 특허료를 지불하지 않았다. 결국 반도체 연구 진흥회 설립 시 이 특허를 바탕으로 기업들로부터 총 7000.00 만 KRW의 출자금을 받았지만, 니시자와는 "GE에 지불했던 것에 비하면 한참 할인된 금액이었다"고 회고했다. 이러한 경험을 통해 그는 일본의 기술 개발 문제점이 "일본인에게 독창성이 없는 것이 아니라, 동포의 성과를 평가하지 않고 산업화하지 않는 것이 문제"라고 역설했다.

3.1. 교수 및 연구 활동

1954년 5월 도호쿠 대학 전기통신연구소 조교수로 승진했으며, 1962년 12월에는 교수로 임용되었다. 그는 도호쿠 대학에서 정년 퇴임할 때까지 연구 개발과 교육에 전념하며 수많은 인재를 길러냈다. 그의 지도를 받은 학생들 중에는 플래시 메모리의 발명가인 마스오카 후지오, MEMS 연구자인 에사시 마사요시, 메모리 연구의 고야나기 미쓰마사, 마칭 메모리의 나카무라 이쿠오 등이 있다. 또한 그의 연구실에 소속되었던 교원으로는 반도체 공정과 클린룸 연구의 오미 다다히로가 있다. 1983년 4월부터 1986년 3월까지, 그리고 1989년 4월부터 1990년 3월까지 두 차례에 걸쳐 도호쿠 대학 전기통신연구소장을 역임했다.

3.2. 대학 총장 및 학장 역임

1990년 4월 도호쿠 대학 명예교수가 되었으며, 같은 해 11월에는 오타니 시게모리 총장의 재직 중 사망으로 인해 도호쿠 대학 제17대 총장에 취임하여 1996년까지 재임했다. 총장 퇴임 후에도 그는 대학 경영에 참여하며, 1998년 4월에는 이와테현립대학의 초대 학장에 취임하여 2005년까지 역임했다. 2005년 4월에는 수도대학 도쿄(현 도쿄도립대학)의 학장에 취임했으며, 같은 해 8월에는 이와테현립대학 명예학장으로 추대되었다. 또한 2005년 8월부터 조지 대학의 특임교수로 재직하며 후학 양성에 힘썼다.

3.3. 연구 진흥 활동

니시자와는 학술 활동 외에도 연구 및 산업 발전을 위한 다양한 진흥 활동을 펼쳤다. 1961년에는 자신의 특허권을 기반으로 재단법인 반도체 연구 진흥회를 설립하여 1963년에 반도체 연구소를 세웠다. 이 연구소는 산업계의 기부를 받아 운영되었으며, 대학 외부에서도 니시자와가 주도하는 연구가 활발히 이루어졌다. 그는 1968년 5월부터 재단법인 반도체 연구 진흥회 반도체 연구소장을 지냈다.

4.1. 독창성과 혁신론

니시자와는 자신의 저서와 강연에서 '독창'을 강조했다. 그에게 독창이란 타인을 추종하는 것이 아니라, 스스로 미개척의 경지를 개척하는 것이었다. 그는 "독창을 이루려면 이단이어야 한다"고 말하며, 기존의 통념에 도전하는 자세를 역설했다. 반도체 연구 초기에 문헌에 있던 황철광을 이용한 고체 증폭 소자(트랜지스터) 실험에 실패하고, 밝은 발광 다이오드의 실현은 불가능하다는 정설을 뒤집고 고휘도 적색 발광 다이오드를 개발했으며, 유리(유전체)를 통해 광파를 통과시키는 광 통신을 제창하여 학계의 권위자들로부터 비난을 받았던 그의 경험은 이러한 철학의 바탕이 되었다. 그는 회의주의를 권장하기도 했다.

4.2. 기술 개발에 대한 관점

니시자와는 기술 발전의 방향과 산업계의 역할에 대해 비판적인 시각을 가지고 있었다. 그는 일본 기업들이 일본인 연구자들의 업적을 경시하는 풍토에 대해 강한 불만을 표출했다. 자신이 개발한 PIN 다이오드 특허의 사례에서 보듯이, 일본 기업들이 해외 기업에 특허료를 지불하면서도 정작 자국 연구자의 특허는 제대로 평가하거나 보상하지 않는 현실을 지적했다. 그는 이러한 문제점이 "일본인에게 독창성이 없는 것이 아니라, 동포의 성과를 평가하지 않고 산업화하지 않는 것이 문제"라고 주장하며, 일본의 기술 개발 정책과 산업계의 태도 변화를 촉구했다.

또한 니시자와는 1970년대 중반 삼성그룹의 이병철 회장이 일본을 방문했을 때, 여러 차례 도호쿠 대학을 찾아와 그에게 가르침을 구했던 일화를 언급했다. 1990년에는 반도체 산업을 주도하는 국가가 일본에서 한국으로, 그리고 중국을 거쳐 베트남으로 이행할 것이라고 예언했는데, 2018년 조선일보는 이를 "일종의 예언과 같은 말"이라고 평가하기도 했다.

5.1. 가족 관계

니시자와 준이치의 아버지 니시자와 교스케(1892년~1995년)는 다케모토유시 창업주이자 7대 다케모토 조자부로의 둘째 아들로 태어났으나, 자녀가 없던 니시자와 긴지로의 양자가 되었다. 교스케는 규슈 제국대학 공학부 응용화학과를 졸업하고 1922년 동 대학 최초의 공학 박사가 되었다. 이후 도호쿠 제국대학 조교수(후에 교수)로 부임하여 유지 분해제와 황산화유에 대한 개척적인 연구를 진행했으며, 1935년에는 친가인 다케모토유시에서 계면활성제 제조 기술 지도를 수행했다. 제10대 공학부장을 역임한 후 1955년에 퇴임했으며, 103세의 나이로 사망했다.

니시자와의 부계 조부인 다케모토 조자부로(7대)는 다케모토유시의 창업주 가문 출신이다. 부계 양조부 니시자와 긴지로는 도쿄 우시고메의 지주였다. 긴지로는 약국 '무라타 시세이도'의 도제에서 점원으로 출세한 후, 주인의 여동생 후지와 결혼하여 독립 후 토지를 매입해 건물주 사업을 시작하여 성공했다. 그는 본래 아베(阿部)라는 성을 가졌으나, 가난한 사족이었던 옛 가나자와번 사무라이 니시자와 가문의 호적을 사서 니시자와 성을 사용하게 되었다. 아베 가문의 먼 친척으로는 사사키 유노스케와 노무라 고이치가 있다. 모계 조모 야에도 무라타 시세이도의 딸로, 긴지로의 아내의 여동생이다. 무라타 시세이도는 메이지 시대에 원조 시세이도에서 분점한 약국 중 하나이다.

니시자와의 남동생은 금속공학자이자 도호쿠 대학 명예교수인 니시자와 다이지이다. 그의 아내 다케코는 하야카와 다네조의 둘째 딸이다. 다네조의 외사촌 자녀 중에는 모리타 아키오가 있다. 니시자와의 장녀 다카하시 게이코는 외교관 다카하시 고이치의 아내이다. 니시자와는 반도체의 주류가 게르마늄(Ge)에서 실리콘(Si)으로 바뀌어가던 시기에 딸의 이름을 '케이코(珪子, 규소)'로 짓고 싶었으나, 당시 한자 사용 제한으로 뜻을 이루지 못했다고 한다. 2024년에는 그녀가 『미스터 반도체 니시자와 준이치를 아버지로』라는 책을 출간하기도 했다. 니시자와의 육촌에는 작곡가이자 편곡가, 신시사이저 연주자인 도미타 이사오가 있다.

5.2. 취미 및 관심사

니시자와는 어린 시절부터 그림 그리는 것을 즐겼으며, 클로드 모네의 작품을 특히 좋아했다. 1971년 파리의 마르모탕 미술관을 방문했을 때, 수면에 하늘이 비치는 수련 그림이 거꾸로 전시되어 있는 것을 발견하고 이듬해에도 그대로인 것을 확인한 뒤 이를 지적하여 프랑스 신문 『르 몽드』에 보도되기도 했다.

또한 그는 젊은 시절부터 8mm 필름으로 영상을 촬영하는 것을 취미로 삼았다. 그의 연구실에는 쇼와 30년대(1955년경)의 연구실 영상 등 오래된 필름들이 자료로 남아있다.

6.1. 주요 학술상

• 과학기술청 장관 장려상 (1965년 10월 19일): "불순물 불균일 반도체" 연구로 수상.
• 은사 발명상 (1966년 4월 22일): "불순물 불균일 반도체" 연구로 수상.
• 마쓰나가상 (1969년 12월 1일): "반도체 디바이스 연구"로 수상.
• 과학기술청 장관 장려상 (1970년 11월 2일): "반도체 메이저" 연구로 수상.
• 오코치 기념 기술상 (1971년 4월 13일): "합금 확산법에 의한 실리콘 가변 용량 다이오드 개발"로 수상.
• 일본 학사원상 (1974년 6월 10일): "반도체 및 트랜지스터 연구"로 수상.
• 과학기술 공로상 (1975년 4월 15일): "정적 유도 전계 효과 트랜지스터 개발"로 수상.
• 전자통신학회 업적상 (1975년 5월 10일): "새로운 3극관 특성을 가진 고성능 트랜지스터"로 수상.
• 도호쿠 지방 발명상 미야기현 지부장상 (1975년 10월 1일): "위치 제어 장치"로 수상.
• 오코치 기념 기술상 (1980년 3월 10일): "고휘도 발광 다이오드의 연속 성장 기술 개발"로 수상.
• 특허청 장관 장려상 (1980년 10월 3일): "연속 액상 성장에 의한 반도체 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치"로 수상.
• 이노우에 하루시게상 (1982년 7월 7일): "고휘도 발광 다이오드의 연속 제조 기술"로 수상.
• IEEE 잭 A. 모턴상 (1983년 12월 6일): "SIT(정적 유도 트랜지스터) 개발과 광 통신의 기본 3요소"로 수상.
• 아사히상 (1984년): "광 통신과 반도체 연구"로 수상.
• 혼다상 (1986년): "pin 다이오드, 정적 유도 트랜지스터 등을 발명하고 광 통신 기술의 응용 발전에 기여"한 공로로 수상.
• 국제 결정 성장 기구(IOCG) 로디스상 (1989년).
• 오카와상 (1996년): "재료 과학의 독창적 연구와 반도체 공학 발전 및 광 통신의 선구적 업적과 지대한 공헌"으로 수상.
• IEEE 에디슨 메달 (2000년).

6.2. 국내외 표창

• 자수포장 (1975년 10월 29일): "완전 결정과 정적 유도 트랜지스터" 공로로 수상.
• 문화공로자 (1983년 11월 3일): 반도체 공학 분야 공로로 선정.
• 문화훈장 (1989년 11월 3일): 전자공학 분야 공로로 수훈.
• 미야기현 명예현민 (1990년).
• 훈일등 서보장 (2002년).

7.1. 과학 기술계에 미친 영향

니시자와의 발명은 마이크로일렉트로닉스와 현대 정보화 시대의 발전에 결정적인 기여를 했다. 그가 개발한 PIN 다이오드, 정적 유도 트랜지스터, 정적 유도 사이리스터 등의 반도체 소자들은 현대 전자기기의 핵심 부품으로 자리 잡았다. 특히 그의 광 통신 기술 개발은 광섬유를 통한 고속 대용량 데이터 전송을 가능하게 하여 오늘날의 인터넷과 정보 통신 인프라 구축에 필수적인 역할을 했다. 1957년 반도체 레이저를 제안하고, 1963년 광섬유 통신을 제창한 그의 선구적인 연구는 찰스 카오가 2009년 노벨 물리학상을 수상한 광섬유 연구의 역사와 밀접하게 연결되어 있다. 미국 전기전자학회 스펙트럼(IEEE Spectrum)은 니시자와 준이치를 '20세기의 천재 중 한 명'으로 인정했다.

7.2. 사회 및 산업에 미친 영향

니시자와의 기술은 현대 사회의 통신, 정보 접근성, 산업 구조에 실질적인 영향을 미쳤다. 그의 발명 덕분에 우리는 고속 인터넷, 스마트폰, 대용량 데이터 전송 등 현대 정보 사회의 기반이 되는 기술들을 누릴 수 있게 되었다. 그가 1990년에 예측했던 반도체 산업의 주도권이 일본에서 한국, 중국, 베트남으로 이동할 것이라는 발언은 실제로 상당 부분 현실화되어 그의 통찰력을 보여주었다. 이는 단순히 기술적 발명을 넘어 산업 생태계의 변화를 예측하는 그의 넓은 시야를 보여주는 사례이다.

7.3. 평가 및 비판

니시자와는 학계에서 그의 독창적인 아이디어가 너무 앞서나가 이해자를 찾기 어려웠고, 동료 연구자들의 공격이나 연구 자금 확보의 어려움에 직면하기도 했다. 그의 아이디어가 미국에서 먼저 개발되는 경우도 종종 있었다. 특히 광섬유 특허의 경우, 직접 출원 서류를 작성하다가 서류 미비로 반려되고, 이후 이의 신청을 받아 거절 사정을 받는 등 오랜 법적 다툼 끝에 결국 특허를 잃는 아픔을 겪었다. 그는 이러한 경험을 통해 일본 기업들이 자국 연구자의 성과를 제대로 평가하고 산업화하지 않는 문제점을 강하게 비판했다. 그러나 이러한 어려움에도 불구하고 그의 독창성과 개척 정신은 높이 평가되며, 그는 '일본 마이크로일렉트로닉스의 아버지'이자 '미스터 반도체'로 기억되고 있다.

8.1. IEEE 준이치 니시자와 메달

2002년, 미국 전기전자학회(IEEE)는 니시자와 준이치의 업적을 기념하여 그의 이름을 딴 'IEEE 준이치 니시자와 메달'을 제정했다. 이 메달은 전자 소자 및 그 재료 과학 분야에서 현저한 공헌을 한 개인이나 단체를 표창하는 데 사용되며, 일본 전기사업연합회의 후원을 받고 있다. 이는 그의 연구가 국제적으로 인정받고 후대에까지 큰 영향을 미쳤음을 보여주는 중요한 상징이다.

9.1. 저서

니시자와 준이치는 자신의 연구와 철학을 담은 여러 권의 저서를 출간했다.

• 『싸우는 독창 기술』(일간공업신문사) 1981년 5월
• 『우직 일관 - 나의 이력서 -』(일본경제신문사) 1985년 10월
• 『독창은 싸움에 있다』(프레지던트사) 1986년 2월, 신초사(신초 문고) 1989년 2월
• 『니시자와 준이치의 독창 개발론』(공업조사회) 1986년 3월
• 『「기술대국 일본」의 미래를 읽다』(PHP연구소) 1989년 9월
• 『나의 로망과 과학』(주오코론샤, 주오코 신서) 1990년 3월
• 『독창 교육이 일본을 구한다』(PHP연구소) 1991년 8월
• 『인류는 멸망으로 향하고 있다』(시오출판사) 1993년 12월
• 『도호쿠의 시대 - 더 이상 일극 집중의 시대가 아니다』(시오출판사) 1995년 4월
• 『교육의 목적 재고』(이와나미 서점) 1996년 4월
• 『신 학문의 권유 - 21세기를 어떻게 살 것인가』(혼노모리) 1997년 9월
• 『허리를 펴라 일본인』(PHP연구소) 1999년 6월
• 『인류는 80년 안에 멸망한다』(도요케이자이신포샤) 2000년 2월
• 『교육 망국을 구한다』(혼노모리) 2000년 8월
• 『빨강의 발견 파랑의 발견』(하쿠지쓰샤) 2001년 5월
• 『일본인이여 로망을』(혼노모리) 2002년 10월
• 『전략적 독창 개발』(공업조사회) 2006년 4월
• 『창조하는 힘』(PHP연구소, PHP신서) 2010년 8월
• 『내가 탐구에 대해 말한다면』(포플라샤) 2010년 12월